CLBO晶體（CsLiB6O10）是頂尖的深紫外非線性光學材料，透光范圍低至175nm。其核心優(yōu)勢在于高效產生高功率、高光束質量的深紫外激光，特別是Nd:YAG激光的五倍頻和四倍頻輸出。CLBO具備高非線性系數、寬角度與溫度帶寬、極小離散角，且無雙光子吸收飽和效應，功率承載能力強。雖然其強吸濕性需嚴格烘烤與濕度控制，但憑借卓越性能，CLBO已成為半導體光刻、精密微納加工、生物醫(yī)學及深紫外探測等尖端領域不可或缺的核心元件。
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CLBO晶體（CsLiB6O10）是一種非常優(yōu)秀的，能產生多種倍頻波長的非線性晶體材料，具有很好的非線性光學特性，透光范圍175-2750nm，非線系數deff=0.95pm/V是KDP晶體的2.2倍。非常適合在紫外范圍內產生諧波(例如193nm和266nm)，透射截止范圍達到180nm。與普通BBO非線性光學材料相比，CLBO晶體具有更大的光譜和溫度帶寬、更好的角度公差和更小的離散角。CLBO是倍頻（SHG）的不錯選擇，倍頻激光性能穩(wěn)定，光束質量好，適用于大功率Nd:YAG激光系統(tǒng)的四倍頻（FHG）。由于沒有通常在BBO晶體和KDP晶體中觀察到的雙光子吸收的缺失，CLBO對于高功率產生沒有飽和。主要應用于半導體檢測，顯微光刻技術，生物醫(yī)學，紫外雷達等領域。
主要特點
短波可至180nm；
對Nd:YAG激光器的四倍頻、五倍頻轉換效率大；
高非線性系數（約為KDP的兩倍）；
接收角度大，離散角??；
可通過相位匹配獲得193nm的真空紫外光輸出；
生長周期短，可生長大尺寸晶體。
典型應用
倍頻產生266nm激光
微納加工
半導體光刻，半導體器件檢測
生物醫(yī)學
深紫外雷達
技術參數
| 孔徑 | 最大 15*15 mm2 |
| 長度 | 最大 20 mm |
| 平整度 | λ/8 @633nm |
| 垂直度 | 最小 <10 arc min |
| 排比 | 20 弧秒arc sec |
| 劃痕/挖掘 | 最高 5/1 |
| 波前畸變 | λ/8 @633nm |
| AR 涂層 | 無涂層 |
| 吸收系數 | 150 ppm/cm @1064nm |
| 激光誘導損傷閾值 | 29 GWcm2 @1064nm* 6.4GWcm2 @266nm* |
典型指標
切割角度：f=45度，q=61.7度；尺寸：5x5x10mm，兩個表面：光學拋光；
注：切割角度和尺寸可定制，日本oxide不提供帶AR鍍膜的CLBO晶體。
CLBO晶體性質和Sellmeier方程
| 波長(nm) | 晶體 | 相位匹配角(deg) | 有效非線性系數(pm/V) | 角度公差(mrad – cm) | 離散角(deg) |
| 1064+532=355 | CLBO | 48.9 | 0.71 | 0.92 | 2.11 |
| BBO | 34.6 | 2.01 | 0.24 | 4.47 | |
| 532+532=266 | CLBO | 62.0 | 0.79 | 0.55 | 1.84 |
| BBO | 47.7 | 1.75 | 0.19 | 4.89 | |
| 1064+266=213 | CLBO | 68.3 | 0.95 | 0.48 | 1.66 |
| BBO | 51.1 | 1.95 | 0.13 | 5.51 |
注：PMT = 150℃ @CLBO, 27℃ @BBO
CLBO晶體存儲和處理
CLBO具有很高的吸濕性。因此，強烈建議嚴格控制操作環(huán)境的濕度，防止CLBO晶體與水反應降解。通過將操作溫度升高至約150攝氏度，可以有效避免該問題。為了適應CLBO晶體的吸濕性，晶體在是真空包裝的。建議CLBO晶體包裝在使用前在干燥器中保持不開封。一旦打開，請將CLBO晶體存儲在單獨的烤箱或類似的環(huán)境中。
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