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RTP晶體（RbTiOPO?）憑借超高激光損傷閾值（1GW/cm2）、近乎零壓電振鈴及寬溫域穩(wěn)定性（-50℃~70℃），成為電光調(diào)制領(lǐng)域革命性材料。其獨(dú)創(chuàng)雙晶垂直配對(duì)結(jié)構(gòu)，通過(guò)溫度漂移自補(bǔ)償機(jī)制，使半波電壓降低50%至3.6kV（9×9×10mm），同時(shí)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)（<1ns）與MHz級(jí)高頻調(diào)制。在1064nm波段＞99%透光率、30dB消光比及寬口徑（15×15mm）加持下，成為軍用測(cè)距、激光醫(yī)療（如Er:YAG）、工業(yè)加工等高功率高頻激光系統(tǒng)的核心電光Q開(kāi)關(guān)優(yōu)選，徹底終結(jié)傳統(tǒng)材料（如BBO）的壓電振蕩瓶頸。
我們一站式供應(yīng)各種類型的RTP電光元件,RTP晶體,iRTP普克爾盒,iRTP晶體，可提供選型、技術(shù)指導(dǎo)、安裝培訓(xùn)、個(gè)性定制等全生命周期、全流程服務(wù)，歡迎聯(lián)系我們！
RTP晶體(磷酸鈦氧銣,RbTiOPO4)是KTP晶體的同構(gòu)晶體，具有機(jī)械與化學(xué)性能穩(wěn)定、非線性光學(xué)系數(shù)大、電光系數(shù)高、激光損傷閾值高、介電常數(shù)高、電阻率高、透光波段范圍寬、壓電振鈴效應(yīng)低、插入損耗小、不易潮解、適用于高頻操作等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用在非線性和電光領(lǐng)域，中小功率激光器是其重要應(yīng)用市場(chǎng)，例如用來(lái)制造高重復(fù)頻率調(diào)Q激光器、鎖模脈沖激光器、Er:YAG激光器等；電光調(diào)制是RTP晶體的重要功能，利用此功能可用來(lái)制造電光Q開(kāi)關(guān)、幅度和相位調(diào)制器、脈沖選擇器、腔倒空器等產(chǎn)品，近年來(lái)，RTP晶體已經(jīng)成為電光Q開(kāi)關(guān)的熱門(mén)材料，廣泛應(yīng)用在工業(yè)激光加工、激光醫(yī)療、激光測(cè)距、科學(xué)勘探、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。
RTP是雙軸晶體，在制造電光器件時(shí)，為避免環(huán)境溫度變化對(duì)晶體折射率造成影響，通常采用體積大小與性能參數(shù)一致的兩塊晶體光軸彼此垂直配對(duì)使用。這樣的雙晶結(jié)構(gòu)器件可以在-50℃-+70℃環(huán)境中穩(wěn)定工作 (但需保持兩塊晶體的溫場(chǎng)一致）。同時(shí)，雙晶串聯(lián)使器件的調(diào)制電壓進(jìn)一步減半，使其更加適用于軍用激光測(cè)照器和醫(yī)療激光器。RTP電光元件采用熱補(bǔ)償雙晶結(jié)構(gòu)組裝，其中兩塊匹配的晶體置于傳播軸（X 或 Y）上，其中一塊旋轉(zhuǎn) 90 度（下圖）。
主要優(yōu)勢(shì)
低半波調(diào)制電壓需求，使電光元件設(shè)計(jì)更加緊湊
高介電常數(shù)和電阻率，上升/下降時(shí)間和脈寬<1ns，可實(shí)現(xiàn)快速操作
接收角度寬，工作溫度范圍廣(-50℃~70℃)
內(nèi)部質(zhì)量均勻，消光比高，插入損耗小，激光損傷閾值高達(dá)1GW/cm2@1064nm, 10ns脈沖
極低的壓電振鈴效應(yīng)，調(diào)制頻率可達(dá)1MHz，配套各種高壓驅(qū)動(dòng)，支持高頻運(yùn)轉(zhuǎn)。
無(wú)潮解，易于處理，無(wú)需覆蓋在500~3000nm光譜范圍內(nèi)，很適用于做激光的電光調(diào)制
波長(zhǎng)為1064nm時(shí)吸收損耗極低
極高的均勻性：電光元件標(biāo)準(zhǔn)通光面可達(dá)15x15mm2
常見(jiàn)應(yīng)用
電光Q開(kāi)關(guān)、脈沖選擇器、相位調(diào)制器、振幅調(diào)制器、腔倒空器、電光快門(mén)、衰減器 & 濾波器。
RTP晶體產(chǎn)品系列
我們的RTP晶體采用獨(dú)特的熔鹽提拉法生長(zhǎng)技術(shù)和鍍膜技術(shù)，是500nm~3000nm光譜范圍內(nèi)電光應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料，配套各種高壓驅(qū)動(dòng)，支持高頻運(yùn)轉(zhuǎn)，出色性能使其成為軍事、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用中各種激光系統(tǒng)的可靠元件。我們提供單個(gè)RTP元件(用于相位調(diào)制器)、熱補(bǔ)償匹配的一對(duì)RTP元件、即插即用電光組件(帶/不帶外殼)，并儲(chǔ)備了充足的優(yōu)質(zhì)原晶，可依使用要求訂制各種RTP晶體電光調(diào)制器件。
RTP晶體電光開(kāi)光采用溫度補(bǔ)償式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，每個(gè)電光開(kāi)關(guān)由兩塊RTP晶體構(gòu)成。 由于RTP具有高電阻率(約1012Ω·cm)和高抗光損傷閾值等獨(dú)特性能，RTP晶體電光開(kāi)關(guān)因此也具備以下優(yōu)異性能:
高抗光損傷閾值
無(wú)壓電振蕩效應(yīng)
低插入損耗
自動(dòng)溫度補(bǔ)償
不潮解
RTP電光Q開(kāi)關(guān)典型規(guī)格
| 透過(guò)范圍 | 500-3000nm |
| 透過(guò)率@1064nm | ＞99% |
| 半波電壓 | 3.6kV(9x9x10mm Q開(kāi)關(guān)) |
| 消光比 | 高達(dá)30dB |
| 有效口徑 | 1.5mm x 1.5mm~15mm x 15mm |
| 晶體長(zhǎng)度 | 高達(dá)50mm |
| 接收角 | <4° |
| 標(biāo)準(zhǔn)增透膜 | R<0.2% |
| 損傷閾值 | 高達(dá)1GW/cm2@1064 nm, 10 ns 脈沖或10J/cm2 |
RTP晶體型號(hào)定義規(guī)則
型號(hào)：Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W
Ty ‐ 晶體類別: R (RTP)
D ‐ 電光器件: Q (電光Q)，M (雙晶結(jié)構(gòu))，或S (單晶結(jié)構(gòu))
O ‐ 晶體切割方向: X / Y / Z
Cr ‐ 晶體截面 [mm]
L ‐ 晶體長(zhǎng)度 [mm]
E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]
W ‐ 工作激光波長(zhǎng) [nm]
| 晶體型號(hào) | 晶體尺寸[mm] | 半波電壓(kV) | 晶體型號(hào) | 晶體尺寸 | 半波電壓(kV) |
| R-Q-Y-020-5-20-1064 | 2 x 2 x 5 | 1.3 | R-Q-Y-020-10-20-1064 | 2 x 2 x 10 | .66 |
| R-Q-Y-030-5-20-1064 | 3 x 3 x 5 | 2.0 | R-Q-Y-030-10-20-1064 | 3 x 3 x 10 | .99 |
| R-Q-Y-040-5-20-1064 | 4 x 4 x 5 | 2.6 | R-Q-Y-040-10-20-1064 | 4 x 4 x 10 | 1.3 |
| R-Q-Y-050-5-20-1064 | 5 x 5 x 5 | 3.3 | R-Q-Y-050-10-20-1064 | 5 x 5 x 10 | 1.7 |
| R-Q-Y-060-5-20-1064 | 6 x 6 x 5 | 4.0 | R-Q-Y-060-10-20-1064 | 6 x 6 x 10 | 2.0 |
| R-Q-X-020-5-20-1064 | 2 x 2 x 5 | 1.6 | R-Q-X-020-10-20-1064 | 2 x 2 x 10 | .79 |
| R-Q-X-030-5-20-1064 | 3 x 3 x 5 | 1.6 | R-Q-X-030-10-20-1064 | 3 x 3 x 10 | 1.2 |
| R-Q-X-040-5-20-1064 | 4 x 4 x 5 | 1.6 | R-Q-X-040-10-20-1064 | 4 x 4 x 10 | 1.6 |
| R-Q-X-050-5-20-1064 | 5 x 5 x 5 | 1.6 | R-Q-X-050-10-20-1064 | 5 x 5 x 10 | 2.0 |
| R-Q-X-060-5-20-1064 | 6 x 6 x 5 | 1.6 | R-Q-X-060-10-20-1064 | 6 x 6 x 10 | 2.4 |
| R-Q-X-070-5-20-1064 | 7 x 7 x 5 | 1.6 | R-Q-X-070-10-20-1064 | 7 x 7 x 10 | 2.8 |
| R-Q-X-080-5-20-1064 | 8 x 8 x 5 | 1.6 | R-Q-X-080-10-20-1064 | 8 x 8 x 10 | 3.2 |
| R-Q-X-090-5-20-1064 | 9 x 9 x 5 | 1.6 | R-Q-X-090-10-20-1064 | 9 x 9 x 10 | 3.6 |
備注
半波電壓 (HWV) 為標(biāo)稱 ± 15%，標(biāo)準(zhǔn)消光比為 20dB、23dB、25dB、27dB 和 30dB。
未安裝的配對(duì)晶體作為標(biāo)準(zhǔn)組件提供。只需在編號(hào)中用M替代Q即可。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品還有其他尺寸和波長(zhǎng)可供選擇。請(qǐng)聯(lián)系我們。
RTP晶體與BBO晶體電光開(kāi)關(guān)的性能對(duì)比
下圖所表示的是: 在高重復(fù)頻率(30kHz)時(shí), RTP晶體和BBO晶體電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的不同動(dòng)作。實(shí)驗(yàn)所采用的BBO晶體開(kāi)關(guān) 由一塊2.5x2.5x25mm3晶體構(gòu)成, RTP晶體開(kāi)關(guān)由兩塊6x6x7mm3晶體構(gòu)成。從圖中可以看到, 在30 kHz 下, BBO晶體開(kāi)關(guān)已經(jīng)出現(xiàn) 明顯的壓電振蕩現(xiàn)象, 而RTP晶體開(kāi)關(guān)無(wú)振蕩現(xiàn)象。
RTP與KTP晶體性能對(duì)比
| 性 能 | KTP | RTP |
| 透光波段 (nm) | 350-4500 | 350-4500 |
| II 類相位匹配,1064nm二倍頻: | ||
| 相位匹配區(qū)間 (nm) | 980-1080 | 1050-1140 |
| 非線性光學(xué)系數(shù) (即倍頻系數(shù)) (pm/V) | ||
| d33 | 16.9 | 17.1 |
| d32 | 4.4 | 4.1 |
| d31 | 2.5 | 3.3 |
| deff | 3.34 | 2.45 |
| 相位匹配角 | 22o~25o | 58o |
| 離散角度 | 0.26o | 0.4o |
| 接收角度 | 20o | 20o |
| 溫度接收 (℃·cm) | 25 | 40 |
| 其它性能: | ||
| 非臨界1064nm OPO波長(zhǎng) | 1570/3300 | 1600/3200 |
| 電光系數(shù) (pm/V) | ||
| r13 | 9.5 | 12.5 |
| r23 | 15.7 | 17.1 |
| r33 | 36.3 | 39.6 |
| 介電常數(shù) (εeff) | 13 | 13 |
| 抗光損傷比值 (對(duì)KTP晶體) | 1 | 1.8 |
| Z軸電導(dǎo)率 (Ω-1·cm-1) | 10-6~10-7 | 10-11~10-12 |
| 壓電系數(shù) (C/cm2·K) | 7 x 10-9 | 4 x 10-9 |
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