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HGTR KTP晶體

HGTR KTP晶體

時(shí)間:2025-08-02 類別:非線性光學(xué)器件 關(guān)注:546

10倍耐損穩(wěn)頻核心,為高功率綠光系統(tǒng)提供可靠性

HGTR KTP晶體通過革新性生長工藝(助熔劑/熱處理技術(shù)),徹底攻克傳統(tǒng)KTP的致命缺陷——灰跡效應(yīng)(高功率激光下累積性灰色損傷),其抗灰跡能力達(dá)熔鹽法KTP的10倍以上。在532nm綠光照射下,紅外吸收增長量顯著低于普通/水熱法KTP(見紅外吸收測(cè)試圖),解決了高功率密度頻率轉(zhuǎn)換中輸出功率驟降的行業(yè)痛點(diǎn)。該晶體兼具超高平均功率密度(532nm下達(dá)5kW/cm2)、4倍于LBO的非線性系數(shù)及寬溫穩(wěn)定性,可在300nm~5500nm波段實(shí)現(xiàn)高效變頻(尤其優(yōu)化1000~1400nm SHG)。作為新一代固體激光器倍頻核心,其數(shù)瓦級(jí)穩(wěn)定綠光輸出能力為激光投影、醫(yī)療/工業(yè)激光系統(tǒng)提供了高性價(jià)比、長壽命、抗損傷的可靠解決方案,規(guī)格兼容8×8mm2口徑與12mm長度。

我們一站式供應(yīng)各種類型的倍頻晶體,非線性晶體,PPSLT晶體,LBO晶體,,BBO倍頻晶體,KTP晶體,CLBO晶體,可提供選型、技術(shù)指導(dǎo)、安裝培訓(xùn)、個(gè)性定制等全生命周期、全流程服務(wù),歡迎聯(lián)系我們!

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所謂Gray Track Effect(灰跡效應(yīng))指的是非線性晶體在受到高功率、高重復(fù)率激光脈沖或連續(xù)波激光照射時(shí),在晶體內(nèi)部出現(xiàn)灰色的損傷痕跡,灰跡的形成過程是累積性的,會(huì)導(dǎo)致倍頻轉(zhuǎn)換性能下降。KTP 晶體中的誘導(dǎo)色心在可見光和近紅外波段(尤其是 532nm波段)具有廣泛的光吸收,因此會(huì)產(chǎn)生灰軌。

HGTR KTP晶體,由于在其生長控制過程中采用了特有的助熔劑和熱處理技術(shù)等先進(jìn)的工藝方法,與普通熔鹽法(Flux method)生長的KTP晶體相比,具有高達(dá)10倍的抗灰跡能力。 眾所周知,普通熔鹽法KTP晶體,應(yīng)用于高功率密度激光頻率轉(zhuǎn)換時(shí),因其本身的灰跡和光折變效應(yīng),輸出功率會(huì)在很短的時(shí)間內(nèi)快速下降, 而HGTR KTP晶體則可以長期穩(wěn)定地應(yīng)用于高功率激光的頻率轉(zhuǎn)換,而且因其良好的溫度穩(wěn)定性和較高的轉(zhuǎn)換效率,具有比LBO晶體更優(yōu)越的性價(jià)比。

HGTR KTP晶體適用于300nm~5500nm區(qū)間的激光頻率轉(zhuǎn)換,可在1000~1400nm的SHG中實(shí)現(xiàn)更高的平均功率密度。由于具有較高的抗光損傷閾值和非線性光學(xué)系數(shù),使其成為下一代固體激光器中最具潛力的倍頻器件,尤其是在可見光波段的應(yīng)用中,可以產(chǎn)生高達(dá)數(shù)瓦的倍頻光輸出,為激光投影系統(tǒng)所需的高性能價(jià)格比,高可靠性,高光學(xué)質(zhì)量要求的激光光源提供了優(yōu)質(zhì)的解決方案。

HGTR KTP晶體

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 平均輸出功率密度在532nm時(shí)高達(dá)5kW/cm2

  • 非線性系數(shù)比LBO高4倍

  • 在可見光到近紅外波長段均保持低吸收率

  • 寬溫度帶寬

  • 非潮解材料

  • 小去離角和大接收角

常見應(yīng)用

  • 用于醫(yī)療、工業(yè)、科學(xué)和其他應(yīng)用的中等功率綠

  • 激光器

典型規(guī)格

口徑高達(dá)8mmx8mm
長度高達(dá)12mm
平整度入/10
平行度10  arc sec
垂直度10  arc min
劃痕10/5
鍍膜雙帶 R<0.1%
波前失真<50ppm/cm@1064nm;<200ppm/cm@532nm
輸出平均功率密度高達(dá)5kW/cm2@ 532nm
損傷閾值600MW/cm2@1064nm/10ns

HGTR KTP晶體的灰跡效應(yīng)

下圖所表示的是當(dāng)功率密度為10kW/cm2的532nm綠光射入不同KTP晶體前后,各種晶體對(duì)1064nm紅外光吸收增長情況的測(cè)試結(jié)果 。

HGTR KTP晶體的灰跡效應(yīng)

由以上測(cè)試曲線所表示的結(jié)果,HGTR KTP晶體本身的紅外吸收,及其在綠光照射下所導(dǎo)致的紅外吸收增長即所謂的灰跡效應(yīng),都大大地低于普通溶鹽法和水熱法生長的KTP晶體。HGTR KTP元件的初始紅外吸收率較低,受綠光的影響也較小,HGTR KTP 將比普通通量生長晶體或熱液生長晶體具有更高的灰跡電阻。

綠光誘導(dǎo)紅外吸收測(cè)試圖

綠光誘導(dǎo)紅外吸收測(cè)試圖

HGTR KTP晶體塊體在532nm輻射下的吸收隨時(shí)間變化的動(dòng)態(tài)。該參數(shù)表示晶體的效能和灰度跟蹤電阻。這表明晶體的壽命--數(shù)值越小,預(yù)期壽命越長。

波長1064nm的涂層HGTR KTP的吸收?qǐng)D

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